AI ν ν° μλΉ νμ¦κ³Ό λ©λͺ¨λ¦¬ κ°κ²© λ°λ±, λ°λ체 μ°μ μ ꡬ쑰μ λμΈ μ ν
μ§κΈ λ°λ체 μ°μ μ λ¨μν μ¬μ΄ν΄ ν볡μ λμ΄ 'μμ΄μ νΈ AI'λΌλ μλ‘μ΄ λͺ λ Ήμ΄ μ€ν λͺ¨λμ μ§μ νλ©° νλ°μ μΈ μ±μ₯μ μκ³ νκ³ μμ΅λλ€. TSMC μ 1 λΆκΈ° λ§€μΆμ‘μ΄ μ λ λλΉ 35% κΈμ¦νλ©° 컨μΌμμ€λ₯Ό μννκ³ , κΈλ‘λ² μ¦μ μμ λμ€λ₯κ³Ό S&P500 μ΄ κ°κ° 6.8%, 4.5% μμΉνλ©° AI ν¬μ κΈ°μ‘°μ λν νμ μ 보μ¬μ£Όκ³ μμ΅λλ€. νΉν μ€κ΅ GDP μ±μ₯λ₯ μ΄ 5.0% λ‘εΈεΊι’ζμ μλλ©° μ§μ νμ 리μ€ν¬κ° μΌλΆ μνλλ λ± μΈλΆ νκ²½μ΄ νΈμ λκ³ μμ΄, μ§κΈμ΄ μ°μ μ μλ‘μ΄ κ΅λ©΄μ μ½μ΄μΌ ν κ°μ₯ μ€μν μμ μ λλ€.
ν΅μ¬ λ³νλ AI λͺ¨λΈμ΄ λ¨μ μμ±μ λμ΄ μ€ν λ¨κ³λ‘ λμ΄κ°λ©΄μ ν ν° μλΉλμ΄ κΈμ¦νκ³ μ»΄ν¨ν μμμ λν μμκ° νλ°νκ³ μλ€λ μ μ λλ€. TSMC λ N3 곡μ μμ° λ₯λ ₯μ μΆκ° ν보νλ©° μ 리쑰λ 2 μ°¨ νΉμ 2027 λ νλ°κΈ°λΆν° μμ°ν κ³νμ΄λ©°, SK νμ΄λμ€λ λ§μ΄ν¬λ‘μννΈμ μ΅λ 600 μ΅ λ¬λ¬ κ·λͺ¨μ 5 λ μ₯κΈ° 곡κΈκ³μ½ (LTA) μ 체결νμ΅λλ€. λ©λͺ¨λ¦¬ μμ₯μμλ DRAM νλ¬Όκ°κ° DDR5 κΈ°μ€ 16Gb λ‘ $38.5 κΉμ§ μν λ°λ±νκ³ , NAND λ μ μ€ν μ€λΉ ν¬μλ‘ μΈν΄ 2026~2027 λ κ³΅κΈ μ¦κ°κ° μ 체λλ©΄μ κ°κ²© μμ κ³Ό μμ΅μ± κ°μ μ΄ μμλ©λλ€.
μμ₯ μμ§ λ°μ μ λ 'κ³΅κΈ λΆμ‘±'κ³Ό 'μμ΅μ± κ·Ήλν'μ μλ리μ€
μ§κΈκΉμ§ μμ₯μ λ©λͺ¨λ¦¬ κ°κ²© μΈμμ μλ§ν¨μ μ°λ €ν΄ μμ§λ§, μ€μ ꡬ쑰λ μμ ν λ€λ¦ λλ€. CSP λ€μ΄ μ°κ° κ°κ²© μννμ μ΄ μ€μ λ LTA λ₯Ό 체결νλ©° 곡κΈμ 체μ μμ΅μ±μ 보μ₯λ°κ³ μκ³ , νΉν SK νμ΄λμ€μ FY26 μμ μ΄μ΅ 컨μΌμμ€κ° 200 μ‘°μμΌλ‘ μν₯λλ λ± μ€μ λͺ¨λ©ν μ΄ κ°λ ₯ν©λλ€. λ ν₯λ―Έλ‘μ΄ μ μ μΌμ±μ μμ HBM λ‘μ§ λ€μ΄ κ°κ²©μ΄ 50% μμΉνλ©° μ μμλ νμ΄λ리 μ¬μ μμ λ°μ μ νΈλ₯Ό 보λ΄κ³ μλ€λ μ¬μ€μ λλ€. μ΄λ λ¨μν κ°κ²© μμΉμ λμ΄, AI μλμ νμμ μΈ κ³ μ±λ₯ λ©λͺ¨λ¦¬ 곡κΈμ μ λμ λΆμ‘± νμμ΄ κ΅¬μ‘°μ μΌλ‘ κ³ μ°©νλκ³ μμμ μλ―Ένλ©°, μμ§ μ£Όκ°μ μμ ν λ°μλμ§ μμ κ±°λν κΈ°νμ λλ€.
CSP λ€μ CapEx μ§μΆμ΄ μμλ³΄λ€ λνλ κ²½μ°, λ¨κΈ°μ μΈ λ°λ체 μ₯λΉ ν¬μ μ¬λ¦¬κ° μμΆλμ΄ μ£Όκ°κ° μ‘°μ λ°μ μ μμ΅λλ€. λν, μ€κ΅-λλ§ κ° μ§μ νμ 리μ€ν¬κ° μ¬μ νλ κ²½μ° κ³΅κΈλ§ μ°¨μ§λ‘ μΈν΄ κΈλ‘λ² μμ° μΌμ μ΄ μ§μ°λλ μλ리μ€λ λ°°μ ν μ μμ΅λλ€.
AI μ€ν λͺ¨λ μ νκ³Ό λ©λͺ¨λ¦¬ κ°κ²© λ°λ±μ΄ λ§λ¬Όλ € λ°λ체 μ°μ μ ꡬ쑰μ μ±μ₯ κ΅λ©΄μ μ§μ νμΌλ―λ‘, νμ¬λ ν΅μ¬ μνμ’ λͺ©μ λν μ μ μ λ§€μ μ λ΅μ΄ μ ν¨ν©λλ€.