μ€λ μ μμ΄ λ©μΆκΈ° μ , λ©λͺ¨λ¦¬ μνΌμ¬μ΄ν΄μ ννμ νμΌ ν λ
μ΅κ·Ό μ€λ μ μ νμ° κΈ°μ‘°λ‘ μΈν΄ μΌμ±μ μμ SKνμ΄λμ€ μ£Όκ°κ° λ¨κΈ°μ μΌλ‘ 20 μΌ μ΄νμ μλλ‘ νλ½νλ©° λΆμκ°μ΄ μ‘°μ±λκ³ μμ΅λλ€. νμ§λ§ μ΄λ μ§μ νμ 리μ€ν¬μ λ°λ₯Έ μΌμμ μΈ λ³λμ±μΌ λΏ, μ°μ μ κ·Όλ³Έμ μΈ νλ¦μ μμ ν λ€λ¦ λλ€. νΉν 3 μ λ©λͺ¨λ¦¬ μμΆμ‘μ΄ DRAM μ μ μ λλΉ 23% κΈμ¦ν 80 μ΅ λ¬λ¬, NAND λ λ¬΄λ € 81% νλ±ν 25 μ΅ λ¬λ¬λ₯Ό κΈ°λ‘νλ©° κ°λ ₯ν ν볡μΈλ₯Ό μ¦λͺ νμ΅λλ€. μμ₯ μ°Έμ¬μλ€μ μ μ 곡ν¬μ μ£Όκ° νλ½μ μ°λ €νκ³ μμ§λ§, μ€μ μμμ κ°κ²© μμΉμ μ΄λ―Έ κ°μνλκ³ μμ΅λλ€.
ν΅μ¬ λ³νλ NAND νλμ μμ₯μ νλ°μ μΈ μ±μ₯κ³Ό HBM 곡κΈλ νλμ μμ΅λλ€. NAND μμΆ λ¨κ°κ° μ μ λλΉ 22% μμΉνμΌλ©°, eSSD μ£Όλ¬Έ κΈμ¦κ³Ό μ₯κΈ° κ³΅κΈ κ³μ½ μ²΄κ²°λ‘ μΈν΄ κ°κ²© μΈμμΈκ° μ§μλκ³ μμ΅λλ€. λ λλΌμ΄ κ²μ 2026 λ HBM(κ³ λμνλ©λͺ¨λ¦¬) 곡κΈλμ΄ μ λ λλΉ 64% μ¦κ°ν 320 μ΅ Gb λ‘ μν₯ μ‘°μ λμλ€λ μ μ λλ€. μ΄λ μλΉλμμ AI μΉ© μμκ° κΈμ¦ν¨μ λ°λΌ μλ² SSD μ λΉμ€μ΄ 2025 λ 29% μμ 2028 λ 54% κΉμ§ μΉμμ κ²μ΄λΌλ μ λ§κ³Ό λ§λ¬Όλ € μμ΅λλ€.
μμ₯μ 곡ν¬λ κ³§ κ°μ₯ ν° κΈ°ν, ꡬ쑰μ κ³΅κΈ λΆμ‘±μ΄ μμλλ€
νμ¬ μμ₯μ μ μ 리μ€ν¬μ λ§€λͺ°λμ΄ μμ΄ λ©λͺ¨λ¦¬ μνΌμ¬μ΄ν΄μ λ³Έμ§μ μΈ κ΅¬μ‘°μ λ³νλ₯Ό μ λλ‘ λ°μνμ§ λͺ»νκ³ μμ΅λλ€. μλΉλμμ λ£¨λΉ μΈνΈλΌ μΉ©μ΄ λμΌ λ€μ΄ μ€κ³λ‘ λ³κ²½λλ©΄μ HBM κ³Ό DRAM μ μμκ° λμ± μ§μ€λ κ²μ΄λ©°, μ΄λ κ³΅κΈ λΆμ‘±μ μ¬νμν¬ κ²μ λλ€. μΌμ±μ μλ 14.6 μ‘°μ κ·λͺ¨μ μμ¬μ£Ό μκ°μ λ¨ννλ©° μ£Όκ° λ°©μ΄μ κ²½μ ν¨μ¨νμ λμ°κ³ , μ€κ΅ μμ 곡μ₯ V9 κ°λ μ€λΉλ μλ£νμ΅λλ€. μ΄λ¬ν κΈ°μ λ€μ κ°λ ₯ν λ΄λΆ λμκ³Ό ν¨κ», μμ₯μ΄ μμ§ μΆ©λΆν μΈμνμ§ λͺ»ν 'HBM3e 68%, HBM4 32%'λΌλ κΈ°μ μ μ νμ μ΄ κ³§ μ£Όκ°λ₯Ό μ΄λ ν΅μ¬ λλ ₯μ΄ λ κ²μ λλ€.
μ€λ μ μμ΄ μ₯κΈ°νλκ±°λ νμ°λ κ²½μ° κΈλ‘λ² κ³΅κΈλ§ μ°¨μ§κ³Ό μμμ¬ κ°κ²© κΈλ±μΌλ‘ μΈν΄ λ¨κΈ° μ£Όκ° λ³λμ±μ΄ λ€μ μ»€μ§ μ μμ΅λλ€. λν λ―Έκ΅ κ΅μ± κΈλ¦¬κ° κΈλ°λ±νμ¬ κΈ°μ μ£Ό λ°Έλ₯μμ΄μ λΆλ΄μΌλ‘ μμ©ν κ²½μ°, μ€μ νΈμ‘°μλ λΆκ΅¬νκ³ μ£Όκ° μμΉ νλ ₯μ΄ μΌμμ μΌλ‘ μ½νλ μ μμ΅λλ€.
μ§μ νμ 리μ€ν¬λ λ¨κΈ°μ μΈ μμμΌ λΏ, λ©λͺ¨λ¦¬ μνΌμ¬μ΄ν΄κ³Ό AI μμ νλ°μ΄λΌλ κ±°λν νλλ μ΄λ―Έ μμλμμΌλ―λ‘ μ§κΈμ΄ κ°μ₯ μ€μν μ§μ νμ΄λ°μ λλ€.