AI μΈνλΌμ μ¨μ 골λͺ©, μ₯λΉμ¬ ν¬μμ μ μ μ νμ€λ₯΄λ μλ³Έ μ§μΆκ³Ό ν¨κ»νλ€
μ§κΈ λ°λ체 μ₯λΉ μ°μ μ λ¨μν ν볡μ λμ΄ νλ°μ μΈ μ±μ₯ κ΅λ©΄μ μ§μ νμ΅λλ€. λΆλ―Έ μ£Όμ ν΄λΌμ°λ μλΉμ€ μ 곡μ(CSP)μΈ κ΅¬κΈ, μλ§μ‘΄, λ§μ΄ν¬λ‘μννΈ, λ©ν, μ€λΌν΄ λ± 5κ°μ¬μ 2026λ μλ³Έ μ§μΆ(CapEx)μ΄ μ λ λλΉ λ¬΄λ € 80.7% μ¦κ°ν 7,438μ΅ λ¬λ¬μ λ¬ν κ²μΌλ‘ μ λ§λκΈ° λλ¬Έμ λλ€. μ΄λ AI λ°μ΄ν°μΌν° ꡬμΆμ μν 곡격μ μΈ ν¬μ νλκ° μ§μλκ³ μμμ μλ―Ένλ©°, λ§λν μμλ₯Ό μΆ©μ‘±νκΈ° μν΄ λ°λ체 μ μ‘°μ¬λ€μ μμ° λ₯λ ₯ νμ₯λ κ°μνλκ³ μμ΅λλ€.
μμμ νλ°μ μ¦κ°λ κ³§ μ₯λΉ κ΅¬λ§€λ‘ μ§κ²°λ©λλ€. μΌμ±μ μ, SKνμ΄λμ€, λ§μ΄ν¬λ‘ , TSMC, μΈν λ± μ£Όμ λ°λ체 μ μ‘°μ¬μ 2026λ CapExλ μ λ λλΉ 45.0% μμΉν 1,817μ΅ λ¬λ¬λ‘ μμλλ©°, μ΄ κΈμ‘μ μλΉ λΆλΆμ΄ μ₯λΉ κ΅¬λ§€μ ν¬μ λ©λλ€. νΉν AI μΆλ‘ (Reasoning)κ³Ό μμ΄μ νΈ(Agentic) AI μλκ° μ΄λ¦¬λ©΄μ λ©λͺ¨λ¦¬ λ³λͺ©(Memory Wall) λ¬Έμ κ° μ¬νλμκ³ , μ΄λ₯Ό ν΄κ²°νκΈ° μν HBM4 μ νκ³Ό TSV(Through-Silicon Via) 곡μ νλκ° ν΅μ¬ κ³Όμ λ‘ λΆμνμ΅λλ€. μ΄μ λ°λΌ CoWoS ν¨ν€μ§ μ©λ μ¦μ€κ³Ό κ³ λλ TSV 곡μ μ νμν μ₯λΉ μμκ° μ΄λ² μ¬μ΄ν΄μ κ°μ₯ κ°λ ₯ν λλ ₯μ΄ λκ³ μμ΅λλ€.
곡μ μ λμ΄λκ° μμ΅μ±μ κ²°μ νλ€: HBM4μ Advanced Packagingμ μ΄μ€ μν
μ¬κΈ°μ μ£Όλͺ©ν΄μΌ ν ꡬ쑰μ λ³νλ κΈ°μ μ λμ΄λ μμΉμ΄ κ°μ Έμ€λ 'μμ΅μ± νλ'μ λλ€. HBM4λ‘ μΈλ μ νλλ©΄μ TSV ν κ°μκ° μ¦κ°νκ³ λ―ΈμΈνκ° μ§νλμ΄ μ μ‘° λμ΄λμ μμ¨ λΆλ΄μ΄ 컀μ‘μ΅λλ€. μ΄λ λ¨μν μ€λΉ ν¬μκ° μλ, μ λ°ν μ μ΄μ μμ¨ κ°μ κΈ°μ μ΄ νμμ μΈ κ³ λΆκ°κ°μΉ μ₯λΉ μμ₯μΌλ‘μ μ νμ μλ―Έν©λλ€. μμ₯μ μμ§ μ΄ 'κΈ°μ μ μ₯λ²½'μ΄ κ°μ Έμ¬ κΈ°μ λ€μ λ§μ§ νμ₯κ³Ό μ§μ κ°λ₯ν μ±μ₯μ±μ μΆ©λΆν λ°μλμ§ μμμ΅λλ€. λ°λΌμ CoWoSμ TSV 곡μ λͺ¨λμ ν΅μ¬ μ₯λΉλ₯Ό 곡κΈνλ©°, HBM μμ¨ κ°μ κΈ°μ κΉμ§ 보μ ν κΈ°μ λ€μ΄ κ°μ₯ ν° μνλ₯Ό μ»μ κ²μ λλ€.
CSPλ€μ CapEx κ³νμ΄ μ€μ μ§ν λ¨κ³μμ μ§μ°λκ±°λ μΆμλ κ²½μ°, μ₯λΉμ¬μ μ€μ μ λ§μ΄ νν₯ μ‘°μ λ μ μμ΅λλ€. λν HBM4 μ ν κ³Όμ μμ μμλ³΄λ€ λμ μμ¨ λ¬Έμ λ‘ μΈν΄ TSV 곡μ ν¬μκ° μΌμμ μΌλ‘ μμΆλ κ°λ₯μ±λ μ‘΄μ¬ν©λλ€.
νλ°νλ AI μμμ κΈ°μ μ λμ΄λ μμΉμ΄ λ§λ¬Όλ¦° μ§κΈ, ν΅μ¬ 곡μ μ μ₯λΉλ₯Ό 보μ ν κΈ°μ λ€μ μ€μ μ±μ₯μ μ΄λ―Έ μκ³ λ μ¬μ€μ λλ€.